LBO晶体的生长缺陷研究  

作　　者：刘希玲[1] 徐忠彬[2] 等 

机构地区：[1]山东教育学院数理系，济南250013 [2]山东工业大学材料学院，济南250061

出　　处：《同步辐射装置用户科技论文集》2000年第1期275-278,共4页

摘　　要：采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂（LBO）晶体的生长缺陷，实验结果表明，LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界。讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。

关 键 词：LBO晶体 生长缺陷 化学腐蚀 光学显微法 三硼酸锂晶体 同步辐射 截面形貌术 位错 包裹物 成因 

分 类 号：O77[理学—晶体学]