去噪后单晶硅表面形貌特性分析  

作　　者：徐瑞芬[1] 

机构地区：[1]丽水职业技术学院,浙江丽水323000

出　　处：《计算机光盘软件与应用》2014年第13期303-304,共2页Computer CD Software and Application

摘　　要：单晶硅绒面在制绒时由于制绒液的浓度变化会有"凹坑"缺陷出现,基于双正交提升小波对其进行去噪。再对去噪后的单晶硅绒面从功率谱分析、平均间距、平均高度和平均角度等入手研究绒面微结构的周期性、均匀性,考察实际绒面微结构与理想绒面微结构之间的差异,对实际的单晶硅制造工艺起到一定的指导作用。

关 键 词：单晶硅绒 特性 去噪 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]