检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]黄淮学院,河南驻马店463000
出 处:《河南科学》2014年第8期1467-1469,共3页Henan Science
摘 要:设计了一种利用MOS晶体管产生正负温度系数电流的新型带隙基准电压源,并采用分段曲率补偿技术,从而降低基准电压的温度系数,同时增加工作温度范围.该电路使用TSMC 0.6 um标准CMOS工艺进行设计, Spectre仿真结果表明,电源电压为1.5 V,温度范围为-15~95℃时,温度系数为107 ppm/℃,采用分段曲率补偿后,温度系数降为4.28 ppm/℃.This paper presents a high precision bandgap reference voltage circuit,which utilizes MOS transistors to generate positive and negative TC(temperature coefficient)currents. A piecewise curvature compensation technique is used to reduce the temperature coefficient within wider temperature range. The proposed circuit is designed by TMSC 0.6 um standard CMOS process. Cadence Spectre simulations demonstrate that the reference voltage temperature coefficient is 4.28 ppm/℃with compensation and 125 ppm/℃without compensation in the temperature range from-15℃to 95℃under a 1.5 V supply voltage.
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.3