砷化镓表面摩擦化学去除的机理及应用研究  

作　　者：余丙军 

机构地区：[1]机械学院

出　　处：《学术动态（成都）》2014年第3期35-38,共4页

摘　　要：1研究意义 砷化镓（GaAs）是最为重要的化合物半导体材料之一。砷化镓表面所形成的异质量子点具有光电转换效率高、量子限制效应强、量子干涉效应明显等特征,在新能源、光电探测、高性能激光器和量子计算等领域展示出强劲的应用前景（见图1）。例如,砷化镓衬底量子点太阳能电池的转换效率理论上可达50%以上,远高于硅太阳能电池的理论转换效率（30%）。

关 键 词：砷化镓 量子点 转换效率 硅太阳能电池 表面摩擦 量子限制效应 量子干涉 光电探测 化学作用 机械磨损 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]