检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:黄沫[1,2,3] 陈弟虎[1,3] 叶晖 徐肯 郭建平[1,3]
机构地区:[1]中山大学理工学院,广东广州510275 [2]广州市广晟微电子有限公司,广东广州510006 [3]广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院,广东佛山528300
出 处:《中山大学学报(自然科学版)》2014年第5期8-13,共6页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni
基 金:国家科技重大专项资助项目(2009ZX03002-004);广东省战略新兴产业关键技术产业化专项资助项目(2011912004)
摘 要:为了降低TD-LTE终端功耗,采用0.13-μm CMOS工艺实现了一款基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔADC。采用该ADC的TD-LTE接收机省去了传统接收机中的低通滤波器,节省了功耗。该ADC采用了3阶、3位量化的结构,并用较简单的方法实现了多余环路延迟(ELD)的补偿。该ADC的硅片测试结果显示在TD-LTE的20 MHz带宽下实现了66 dB的动态范围,功耗为25.1 mA。A continuous-time ∑△ ADC based on TD-LTE terminals is implemented with 0. 13-μm CMOS process to address the power consumption issue of TD-LTE terminals. The low-pass filter in conventional receiver is removed to save power consumption by using the proposed ADC. The proposed ADC is with 3^rd loop filter, 3 bit quantizer, and compensates excess loop delay (ELD) in a compact way. The test results show the ADC achieves 66 dB dynamic range in TD-LTE 20 MHz bandwidth, with 25.1 mA current con- sumption.
关 键 词:TD-LTE ∑△ ADC 连续时间 多余环路延迟(ELD)
分 类 号:TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]
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