高压微功耗电源芯片的设计  

作　　者：白涛[1] 

机构地区：[1]北方通用电子集团有限公司微电子部,苏州215163

出　　处：《集成电路通讯》2014年第3期19-23,共5页

摘　　要：依据上华CSMC 1μm25V工艺设计了一款高压微功耗LDO电源芯片。芯片采用缓冲级（buffer）的动态减小阻抗技术和级联密勒补偿方法，使LDO在全负载电流范围内，单位增益带宽内只有一个极点，在没有使用左半平面零点补偿的基础上，可保证LDO的相位裕度，实现了LDO良好的频率稳定性。LDO空载电流仅为5μA，芯片面积仅为0．9mm×0．9mm。

关 键 词：LDO 高压低功耗 缓冲级 密勒补偿 频率稳定性 

分 类 号：TP332[自动化与计算机技术—计算机系统结构]