二甲基甲酰胺中铥(Ⅲ)在铜电极上的电化学行为  

Electrochemical behavior of thulium(Ⅲ) on copper electrode in dimethylformamide

作　　者：陆军[1] 王建朝[1] 赵美峰[1] 黄严[1] 

机构地区：[1]青海师范大学化学系,青海西宁810008

出　　处：《电镀与涂饰》2014年第20期859-862,共4页Electroplating & Finishing

基　　金：国家自然科学基金(51061016)

摘　　要：应用循环伏安法、单电位阶跃计时电流法、计时电量法研究了二甲基甲酰胺(DMF)中铥(III)在Cu电极上的电化学性质。研究表明,铥(III)在Cu电极上的还原是不可逆过程。通过上述3种电化学方法得到的扩散系数(D0)相近,由循环伏安法测得的传递系数(α)为0.028 36,通过塔菲尔曲线求得的交换电流密度(i0)为1.352 6×10-6 A/cm2。铥(III)离子成核机理研究表明,铥在Cu电极上的电沉积按三维模式生长连续成核。The electrochemical properties ofthulium（Ⅲ） on Cu electrode in dimethylformamide （DMF） were studied by cyclic voltammetry, single potential-step chronoampero- metry, and chronocoulometry. It was found that the reduction of Tm（Ⅲ） on Cu electrode is an irreversible process. The diffusion coefficients （Do） obtained by the three above mentioned methods are similar. The transfer coefficient （a） obtained by cyclic voltammetry is 0.028 36, and the exchange current density （%） calculated by Tafel curve is 1.352 6 × 10^-6 A/cm2. The nucleation mechanism of Tm on Cu electrode obeys the three-dimensional continuous nucleation growth model.

关 键 词：铥 二甲基甲酰胺 铜电极 电化学 扩散系数 传递系数 交换电流密度 成核机理 

分 类 号：O616[理学—无机化学] O646.1[理学—化学]