利用霍尔效应研究热退火对黑硅材料电学性质的影响  

Electrical property of annealed black silicon measured by Hall effect

作　　者：王科范[1,2] 刘平安[2] 

机构地区：[1]河南大学微系统物理研究所,河南开封475004 [2]河南大学普通物理实验教学中心,河南开封475004

出　　处：《物理实验》2014年第10期1-3,7,共4页Physics Experimentation

基　　金：国家自然科学基金资助(No.61204002)

摘　　要：利用霍尔效应测量了不同温度热退火后的黑硅的霍尔系数、载流子浓度、载流子迁移率和电导率.随着热退火温度的升高,黑硅内载流子的浓度缓慢下降,载流子迁移率却同步增加,这说明黑硅内载流子散射的主要形式是电离杂质散射.The Hall coefficient ,carrier concentration ,carrier mobility and conductivity of an-nealed black silicon were measured by Hall effect .With rising annealing temperature ,the carrier con-centration decreased slowly ,and the carrier mobility raised at the same time .Thus the main scattering process in black silicon was caused by ionized impurity .

关 键 词：黑硅 霍尔效应 载流子浓度 迁移率 

分 类 号：O484.42[理学—固体物理]