检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:吴唱 王菡[3] 胡刚毅[2] 苏丹[1,2] 杨皓元 罗凯[2,4] 王川[1]
机构地区:[1]重庆邮电大学,重庆400065 [2]模拟集成电路重点实验室,重庆400060 [3]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 [4]重庆大学,重庆400044
出 处:《微电子学》2014年第5期640-643,共4页Microelectronics
摘 要:通过对传统LDO频率补偿电路的极点、零点进行分析,提出一种新型动态补偿技术,显著改善了电路的性能指标。采用0.6μm BiCMOS工艺模型进行仿真,结果表明,当负载电流由1mA变化至300mA时,非主极点能跟随负载电流的增加向高频移动,系统环路单位增益带宽在195~555kHz之间,相位裕度保持在50°以上,保证了LDO在全负载范围内均能稳定工作。By analyzing the pole-zero behavior of a traditional frequency compensation circuit for LDO, a novel technique was presented and the performance was improved dramatically. The circuit was simulated based on 0.6 μm BiCMOS process, the results showed that the secondary pole could follow the increasing of the load current to move to higher frequency with the load current varying from 1 mA to 300 mA. The unity-gain bandwidth of the loop was 195-555 kHz, the phase margin was over 50°, and the LDO could operate stably at all loads.
分 类 号:TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.7