AlSb(110)基外延生长Bi薄膜的第一性原理研究  

First principles investigation of Bi films epitaxy on AlSb(110)

作　　者：丁俊[1] 文黎巍[1] 

机构地区：[1]河南工程学院理学院,河南郑州451191

出　　处：《周口师范学院学报》2014年第5期45-47,共3页Journal of Zhoukou Normal University

基　　金：河南省科技攻关计划项目(No.132102210141)

摘　　要：用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了在A lS b （110）衬底表面外延生长1～6层Bi薄膜的能带结构，计算了它们的带隙。研究发现，不同厚度的Bi薄膜显示出传导性质的奇偶振荡，1层和3层显示出非金属性质，2层和4层及更高的层数转变为金属性质。Using The first principle method that based on density functional theory ,we investigated the energy band structure of 1 6 monolayer Bi films epitaxied on AlSb（110） ,and calculated the band gap .The calculated results indicated that there exists odd even oscillatory nonmetal metal transitions ,the 1 and 3 monolayer （ML） coverages are nonmetallic while 2 ,4 ,and higher ML coverages turn to metallic .

关 键 词：第一性原理 Bi薄膜 能带结构 

分 类 号：O411[理学—理论物理]