氧化锌掺杂改性研究进展  

Research Progress on Doping Modification of ZnO Materials

作　　者：夏志美[1] 刘竹林[1] 

机构地区：[1]湖南工业大学冶金工程学院,株洲412007

出　　处：《材料导报》2014年第21期47-52,共6页Materials Reports

基　　金：湖南省自然科学株洲联合基金(12JJ9041);湖南省科技计划项目(2013GK3046)

摘　　要：氧化锌半导体材料既是优良的压电材料,也是性能优异的多功能材料,在太阳能电池、显示器件和气体传感器等电子元器件领域以及光催化降解有机污染物领域的应用受到重视。综述了不同掺杂元素对氧化锌材料的光、电、磁、气敏以及变阻等特性的影响,针对氧化锌掺杂的研究现状,提出了今后的研究方向:研究掺杂原子的选择定则;加强掺杂氧化锌材料的应用研究;深入研究氧化锌掺杂引起半导体特性改变的机理。ZnO is a kind of good piezoelectric and multifunctional materials.It is a promising materials in application of solar cell,display devices,gas-sensor,photodegradation of organic wastes,and so on.The effect of different doping elements on the optical,electrical,magnetic properties,gas sensor and resistance switching characteristics of ZnO are summarized.The future research direction,such as,selection rules of doping elements,applied and mechanism research,is proposed on the basis of current research situation.

关 键 词：氧化锌 掺杂改性 光电磁特性 气敏性 变阻特性 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]