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机构地区:[1]中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京100190 [2]中国科学院大学,北京100149
出 处:《物理学报》2014年第22期353-359,共7页Acta Physica Sinica
基 金:国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB328901)资助的课题~~
摘 要:为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应,研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构.通过对槽内电场进行分析,证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应.利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟,跟踪次级电子的轨迹及发展趋势,获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度.讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响.该结构有望在高功率速调管中获得应用.In this paper, the periodic semicircle groove disk is investigated to restrain the multipactor phenomenon in high power pill-box window. Through the theoretical analysis, the semicircle groove is proved to avoid the local field enhance-ment, which always exists in the vicinity of the sharp boundary groove. The proper groove width with a corresponding minimal suppression tangential electric field is achieved by simulating the multipactor procedure with Monte-Carlo al-gorithm. The effect of normal electric field is also analyzed. This configuration is to be applied to the high power klystron.
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