采用光致发光法和卢瑟福背散射法测定AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量及斯托克斯移动研究  

作　　者：王雪蓉[1] 刘运传[1] 孟祥艳[1] 周燕萍[1] 王康[1] 

机构地区：[1]中国兵器工业集团公司第五三研究所

出　　处：《计量技术》2014年第11期3-6,11,共5页Measurement Technique

基　　金：国防基础科研计划项目（J092009A001）资助课题

摘　　要：采用深紫外光致发光技术测量AIxGa1-xN半导体薄膜的禁带宽度，结合软件模拟计算AIxGa1-xN薄膜的弯曲因子b，测定了AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量，同时采用卢瑟福背散射技术测定AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量。结果显示，AIxGa1-xN薄膜的激发光谱和吸收光谱测得的禁带宽度一致，说明AIxGa1-xN薄膜中不存在斯托克斯移动，由MaterialStudio软件计算得到弯曲因子b为1．01eV，符合理论值；在卢瑟福背散射测量中，模拟谱和随机谱重合较好，能够准确测得灿元素含量。两种方法测定的AIxGa1-xN外延膜样品中的A1组分含量基本一致，光致发光法结果比背散射法结果稍大，而且Al含量越小，测量结果越吻合。

关 键 词：光谱学 铝含量 弯曲因子 斯托克斯移动 光致发光 卢瑟福背散射AIxGa1-xN薄膜 

分 类 号：TQ133.51[化学工程—无机化工] TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]