立方氮化硼的晶体特性及光吸收的研究  

作　　者：郭明[1] 邢淑芝[1] 侯丽新[2] 谷开慧[1] 

机构地区：[1]长春理工大学光电信息学院光电科学分院 [2]吉林农业大学信息技术学院

出　　处：《电子世界》2014年第22期364-365,共2页Electronics World

基　　金：吉林省教育厅“十一五”科学技术研究项目（2010496号）.

摘　　要：立方氮化硼（（Cubie Boron Nitride cBN）是一种人工合成的半导体材料，有很优异的物理、化学性质。cBN禁带较宽，宽度达6．4eV，截止波长为193nm，非常适合用于深紫外日盲区的探测。与其它用于紫外光探测的材料相比cBN具有介电常数小、禁带宽度更大、寄生电容小、工作温度高、器件的响应速度快、抗高能粒子辐射、耐腐蚀等优点，而且材料的击穿电压较高，是一种发展前景广阔的半导体材料。本文对立方氮化硼结构及对光吸收进行研究，指出其性质特点，揭示光吸收机理。

关 键 词：立方氮化硼 晶体 光吸收 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]