射频振荡电路的设计  

作　　者：吴紫君[1] 

机构地区：[1]华北水利水电大学,河南省450000

出　　处：《商情》2014年第43期310-311,共2页

摘　　要：本文要求设计一个MOSFET的振荡器电路，实现输出功率为100W，振荡频率为13．56MHz，其中品质因数Q=5，且效率要高、频率稳定度要好。为了达到高效率的要求．振荡器电路中的基本放大器采用C类放大器。C类放大器的特点就是导通角θ〈90°。，即静态工作点的设置要小于晶体管的开启电压。反馈振荡器的平衡输出．是靠振荡器接通电源瞬间产生的电流突变以及电路内各种微弱噪声通过振荡环路内的选频回路的频率选择，循环送入放大器放大、反馈回路反馈而形成的。但是型号为ARF461的MOSFET的开启电压Uas（m）=3—5V，单靠振荡器接通电源瞬间产生的电流突变以及电路内各种微弱噪声不足以使振荡器起振．所以本设计采用的是放大器自偏压电路，使放大器由A类或B类或AB类过渡到C类。

关 键 词：射频振荡器 放大器 选频反馈 

分 类 号：TN752[电子电信—电路与系统]