宇航用NAND FLASH鉴定方法研究  

作　　者：韩晓东[1] 朱恒静[1] 张硕[2] 张红旗[1] 

机构地区：[1]中国空间技术研究院,北京100094 [2]首都航天机械公司,北京100076

出　　处：《质量与可靠性》2014年第6期42-45,共4页Quality and Reliability

摘　　要：结合航天应用需求,在研究NAND FLASH特点、失效机理、可靠性特性以及辐射特性的基础上,给出了宇航用NAND FLASH的鉴定方法,可以为后续宇航用NAND FLASH鉴定以及应用验证工作提供借鉴。

关 键 词：宇航NAND FLASH 鉴定方法 应用验证 

分 类 号：V446[航空宇航科学与技术—飞行器设计]