基于硅雪崩光电二极管的双光子吸收实验(英文)  

Experimental investigation on two-photon absorption in silicon avalanche photodiode

作　　者：左娅妮 李政勇[1] 杨峥[1] 刘未华[1] 陈长权[1] 吴家盛[1] 

机构地区：[1]北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044

出　　处：《红外与激光工程》2014年第12期3928-3931,共4页Infrared and Laser Engineering

基　　金：国家自然科学基金(11274037);新世纪优秀人才支持计划(NCET-12-0765);全国优秀博士学位论文作者专项资助(201236)

摘　　要：研究了硅雪崩光电二极管(APD)对光通信波段近红外光子在不同频率、强度,以及APD不同偏压下的双光子吸收效应(TPA)。通过实验详细测量了光频率从186.3 THz到196.1 THz变化时APD的TPA效率,结果表明:随着入射光频率的不断增加,TPA效率呈现出先增大、后减小的规律,并且在190.5 THz附近达到最优效率。此外,在实验中观察到,随着入射光强的增大,TPA效率也呈现出先增大、后减小的现象(此实验中的峰值光强度约10 mW)。Two-photon absorption（TPA） in Si avalanche photodiode（APD） was investigated for infrared photon in 1550-nm telecom band with different frequencies,intensities,under different bias voltage.By measurement of the TPA efficiency for photon frequency from 186.3 to 196.1 THz in detail,it was found that it decreases when the photon frequency goes up while a certain optimal TPA efficiency is around190.5 THz for the APD under test.It can be observed from the experiments that the TPA efficiency increases until a certain intensity（The peak value of light intensity in this experiment is less than 10 mW）and then it decreases.

关 键 词：双光子吸收 单光子探测 硅雪崩光电二极管 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]