检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]中自集团市场研究部
出 处:《变频器世界》2014年第12期28-29,共2页The World of Inverters
摘 要:IGBT,英文全称Insulated Gate Bipolar Transistor,中文全名绝缘栅双极晶体管,是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,作为电力电子技术的核心技术,是电机控制和功率变换器的首选器件。IGBT综合了BJT、MOSFET两种器件的优点,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低、工作频率高、安全工作区宽和导通电阻小、电流密度大等特性。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
关 键 词:IGBT 市场前景 功率半导体器件 绝缘栅双极晶体管 电力电子技术 MOSFET 电压控制 功率变换器
分 类 号:TN322.8[电子电信—物理电子学]
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