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作 者:范品忠 徐至展[1] 张正泉[1] 陈时胜 林礼煌[1] 陆培祥[1] 王晓方 余加进 钱爱娣 周锦智 冯贤平
机构地区:[1]中国科学院上海光机所,201800
出 处:《中国激光》1991年第1期9-15,共7页Chinese Journal of Lasers
基 金:本工作得到中国科学院重大项目;国家自然科学基金和国家高技术项目资助
摘 要:本文描述了最近进行的复合泵浦类锂硅离子软X射线激光增益实验结果。利用1m消像散掠入射光栅谱仪拍摄了平面硅靶线聚焦激光等离子体在5~12nm波长范围里的光谱。利用线聚焦激光等离子体轴向和非轴向光谱的时间积分强度比求得Si^(11+)5f-3d(8.89nm)和5d-3p(8.73nm)跃迁的增益系数分别为1.4和0.9cm^(-1);用轴向强度随线聚焦激光等离子体长度的变化得到离靶面300μm处的增益系数分别为1.5和1.4cm^(-1)。Results of the recombination pumped soft X-ray laser gain experiment of L-like silicon ions are described. The spectra from line-focused laser plasmas on slab silicon targets in 5-12nm region are taken by an 1m unastigmatic grazing incidence grating spectro-graph. The gain coefficients of Si11+5f-3d(8.89nm) and 5d-3p(8.73nm), deduced from the ratio of on-axis to off-axis time-integrated intensity are 1.4cm-1 and 0.9 cm-1, respectively; The corresponding gain coefficients deduced from the growth curve of on-axis intensity with the length of the line-focused laser plasma are 1.5cm-1 and 1.4cm-1, respectively.
分 类 号:TN241[电子电信—物理电子学]
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