利用掺杂铌酸锂作相位共轭镜的全光学联想记忆系统  

All-optical associative memory by using doped LiNbO_3 as phase-conjugate mirror

作　　者：康辉[1] 杨昌喜[1] 母国光[1] 吴仲康[1] 

机构地区：[1]南开大学物理系,300071

出　　处：《中国激光》1991年第3期225-227,共3页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：最近,一种用光学方法模拟神经网络的最新研究成果将全息和相位共轭技术结合起来,完成了一种所谓全光学联想记忆系统。光源是氩离子激光器,记忆元件——全息图的记录材料是热塑片,具有反馈、取域和增益功能的非线性元件——相位共轭镜（PCM）由BaTiO3晶体构成。 本工作是在[2]装置的基础上,选用掺杂LiNbO3晶体作为相位共轭镜而实现了全光学联想记忆系统。在我们的系统中,利用He-Ne激光器作为照明光源,使用掺杂LiNbO3晶体来做PCM实现联想记忆。图1是全光学联想记忆系统的示意图。An all-optical associative memory based on Dunning's device is developed. In this system, a doped LiNbO3 crystal is used as phase-conjugate mirror and a low power He-Ne laser as an illumination light source. Thus the system is simple to contruct and of low cost.

关 键 词：记忆系统 铌酸锂 相位共轭镜 激光 

分 类 号：TP18[自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]