AlN-TiB_2复相导电陶瓷的制备及性能研究  

Preparation and properties study of AlN-TiB_2 composite conductive ceramic

作　　者：王红霞[1] 赵辉[1] 

机构地区：[1]郑州职业技术学院,郑州450121

出　　处：《制造业自动化》2015年第3期137-139,143,共4页Manufacturing Automation

基　　金：河南省教育厅自然科学研究项目(2011C460001)

摘　　要：以微米Al N、微米Ti B2以及纳米Si C为主要原料,以微米Y2o3和微米Al2o3为添加剂,采用真空N2气氛保护热压烧结工艺制备了Al N-Ti B2复相导电陶瓷材料。测试和分析了烧结样品的相对密度、弯曲强度、硬度值以及导电性能。结果表明,当微米Al N添加量为55wt%,微米Ti B2为20wt%,纳米Si C为20wt%,微米Y2o3为3wt%以及微米Al2o3为2wt%时,且烧结温度为1880℃时,所制备的Al N-Ti B2复相导电陶瓷材料性能最佳,其相对密度为94.45%,弯曲强度为512.35MPa,洛氏硬度为104.25,电阻率值为1526μΩ.cm。

关 键 词：微米AlN 热压烧结 力学性能 导电性能 固溶强化 

分 类 号：TP211[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]