用于超快、高效系统的半导体纳米结构光子器件  

Semiconductor Nanostructure-Based Photonic Devices for Ultrafast,Power-Efficient Systems

作　　者：Osamu Wada 

机构地区：[1]日本科学振兴会(JSPS)北京代表处,北京100190

出　　处：《光学与光电技术》2015年第1期5-8,共4页Optics & Optoelectronic Technology

摘　　要：首先对未来系统光子器件的关键问题进行了综述。并且对半导体纳米结构,特别是基于量子点材料的超快开关器件取得的最新进展进行了讨论。其中包括基于量子点的半导体光放大器,其在超过40Gb/s的速率下展现出偏振不敏感特性;新型基于量子点的垂直腔结构的光开关,其展现出超快、节能、全光开关的特性。概括和讨论了未来基于纳米结构的光子器件的应用。This talk first reviews key issues of photonie devices for future systems and then discusses recent developments u- sing semiconductor nanostructures with a particular focus on ultrafast switching devices based on quantum dot （QD） materi- als. They include QD-based semiconductor optical amplifiers （SOAs） exhibiting polarization-insensitive operation at 〉40 Gb/s and novel QD-based vertical cavity structure photonic switches showing ultrafast, power-efficient all-optical switching capability. Nanostructure-based photonic devices are summarized and discussed for future applications.

关 键 词：半导体 纳米结构 光开关 量子点 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]