实验证明MoS2是优异的低耗电器件用半导体材料  

作　　者：杨晓婵 

出　　处：《现代材料动态》2015年第2期9-9,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本东京大学岩佐义宏教授和理化学研冗所的研冗小组置称，实验证明具有与石墨烯相同的原子构成为蜂窝状晶格结构的层状MoS2是一种优异的谷电子学意义上的新型低耗电器件用半导体材料。为降低耗电量，此前的研究集中在自旋电子方面，即半导体器件不用电荷，而是利用电子自旋，但近年来谷电子学研究比较引人注目。这是利用电子的另一个自由度“谷”，即由半导体晶体结构的对称性产生的电子流动及流动方式在左旋和右旋具有不同的性质。通过抑制因半导体结晶缺陷及杂质导致的能量损失，使电子自旋高效运动，从而减少电子器件的电力消耗。

关 键 词：半导体材料 MOS2 电器件 低耗 证明 实验 日本东京大学 电子自旋 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]