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作 者:胡孟春[1] 李忠宝[1] 甫跃成[1] 刘建[1] 唐登攀[1] 朱学彬[1] 李如荣[1] 张建华[1] 黄雁[1] 陈钰钰[1] 蒋世伦[1] 蒋树庆[1] 王文川[1]
机构地区:[1]中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900
出 处:《原子能科学技术》2015年第3期540-544,共5页Atomic Energy Science and Technology
基 金:中国工程物理研究院预先科学研究资金资助项目(426020303)
摘 要:常用的CeF3闪烁探测器,由于闪烁体发光与光电器件光谱响应不完全匹配,使得探测器的主要输出特性——输出幅度和脉冲波形形状发生明显变化,较难依据相似性通过探测器输出复原得到辐射源的真实特征。本工作针对这种不完全匹配情况,分析比较了几种改善闪烁探测器输出的方法,提出了在CeF3无机闪烁体与光电器件光阴极之间加移波膜片耦合的方法。原理分析和实验测量结果表明:采取移波膜片耦合方法可使传统CeF3闪烁探测器输出特性得到明显改善,输出幅度增加50%以上,脉冲时间响应前沿由传统方式的12ns变化到移波方式的约3ns。For a common CeF3 scintillation detector ,since the optical spectrum of CeF3 does not match the optical spectrum of the photoconducting device closely , the main output characteristics ,namely ,output level and pulse waveform ,will be deformed and cannot be used to deduce the true characteristic of the radiation source .In this work , after literature survey and sample comparing ,it is found that it is effective to add a wave‐shifting wafer between the CeF3 and the photoconducting device .As is shown in principle analysis and experiment results ,the wave‐shifting wafer method can improve the output characteristic of a CeF3 scintillation detector observably . T he output level increases by over 50% and the pulse time response changes to 3 ns from 12 ns after the wave‐shifting wafer method is used .
关 键 词:CeF3 无机闪烁体 辐射探测 移波 时间响应 发射光谱 光谱响应
分 类 号:TL812[核科学技术—核技术及应用] TL816
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