快速退火技术在磁交换偏置薄膜中的应用及展望  

Application of rapid thermal annealing technology to exchange bias magnetic thin films

作　　者：周广宏[1] 朱雨富[1] 潘旋[1] 

机构地区：[1]淮阴工学院江苏省介入医疗器械研究重点实验室,江苏淮安223003

出　　处：《磁性材料及器件》2015年第2期74-77,共4页Journal of Magnetic Materials and Devices

基　　金：江苏省自然科学基金资助项目(BK2012668)

摘　　要：快速退火技术(RTA)可在极短的时间内使器件表面升至高温,该技术被广泛运用在半导体制造领域。综述了RTA的发展历程及其应用于磁性薄膜所取得的进展,并对RTA在磁交换偏置薄膜中的应用前景进行了展望。Rapid thermal annealing （RTA） is widely used in semiconductor fabrication, which can heat sample to high temperature within a short time. In this paper, the development of RTA is reviewed, and the progress and prospect for application on the magnetic thin films are analyzed.

关 键 词：磁性薄膜 快速退火 应用 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理]