通过湿法化学方法钝化GaAs表面及其光谱特性研究  

The Surface and Photoluminescence Properties of GaAs Passivated by Wet Chemical Method

作　　者：陈芳[1] 唐吉龙[1] 刘国军[1] 房丹[1] 高娴[1] 徐志堃[2] 方铉[1] 马晓辉[1] 徐莉[1] 王晓华[1] 魏志鹏[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 [2]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《纳米科技》2015年第1期30-34,共5页

摘　　要：使用低温光致发光研究（NH4）2S处理后的砷化镓（GaAs）表面的光学和化学特性，通过扫描光致发光光谱（PLmapping）和原子力显微镜（AFM）的测试结果可以确定，（NH4）2S处理GaAs表面可有效去除表面的氧化层（NH4）2S钝化后的样品的光致发光强度高于未经钝化的样品，且表面均匀性更好。该方法为Ⅲ—Ⅴ化合物半导体材料在高速和光电设备的应用提供了有效的钝化方法。The optical and chemical properties of gallium arsenide （GaAs） surfaces which treated by ammonium sulfide （（NH4）2S） treatments were studied via low-temperature photoluminescence （PL）. From the PL mapping and Atomic Force Microscope （AFM） results, the treatment process by （NH4）2S was quite effective to remove the oxide layer of GaAs.The PL intensity of （NH4）2S-passivated sample was higher than the untreated sample, and the homogeneity of passivated surface was much better. This strategy provided superior promising passivation method for Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor material in high-speed and optoelectronic device applications.

关 键 词：砷化镓 钝化 光致发光 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]