W/NiFe/W的各向异性磁电阻效应分析  

作　　者：王一飞[1] 姜宏伟[1] 

机构地区：[1]首都师范大学物理系,北京100048

出　　处：《企业技术开发（下旬刊）》2015年第2期75-77,共3页Technological Development of Enterprise

摘　　要：文章采用钨(W)作为NiFe合金的缓冲层和覆盖层制备W/NiFe/W系列膜,同时制备了Ta/NiFe/Ta系列膜作对照,研究W/NiFe/W中W对NiFe薄膜AMR的影响,并对样品的磁性和微结构进行了测试和表征。通过观察可以看出,利用电阻率大、表面能大的钨作为缓冲层以及覆盖层可以很好地保证NiFe薄膜优异的软磁性能,其AMR值与利用钽元素时的结果相近。经过退火处理后,W/NiFe/W薄膜的磁性死层更小,磁性能更稳定。结果表明,W也适合作NiFe薄膜的缓冲层以及覆盖层。

关 键 词：各向异性磁电阻 磁性死层 

分 类 号：TM721[电气工程—电力系统及自动化]