晶体硅材料中杂质元素分析方法研究进展  

Methods for Determination of Impurity Elements in Crystalline Silicon

作　　者：毛智慧[1,2] 周文韬[1] 田琦[1,2] 赵建为[1,2] 金波[1,2] 

机构地区：[1]昆明冶研新材料股份有限公司,云南曲靖655000 [2]云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,云南曲靖655000

出　　处：《化学分析计量》2015年第2期102-105,共4页Chemical Analysis And Meterage

摘　　要：综述了晶体硅材料中杂质元素含量测定的分析方法研究进展。晶体硅材料中杂质元素的分析方法主要包括红外吸收法、二次离子质谱法、中子活化分析法、辉光放电质谱法、电感耦合等离子体质谱法、X射线光谱分析及其它分析方法,引用文献41篇。The research progress of methods for the determination of impurity elements in crystalline silicon was summarized. The analytical methods include infrared absorption method, secondary ion mass spectrometry, neutron activation analysis, glow discharge mass spectrometry, inductively coupled plasma mass spectrometry, X ray spectrum analysis and the other analytical methods. 41 references were cited in this paper.

关 键 词：晶体硅 杂质 分析方法 综述 

分 类 号：O655[理学—分析化学]