总剂量辐照效应模型在TDI-CCD器件中的应用  

Applications of Total Dose Effect Model in TDI-CCD Devices

作　　者：吕玉冰[1] 王颖[1] 汪朝敏[1] 李金[1] 刘昌林[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》2014年第5期782-784,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：介绍了抗辐射加固设计使用的总剂量辐照效应模型,研究了它在时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)电荷转移效率参数衰减中的应用,并通过不同剂量60Coγ辐照试验,验证了该模型在TDI-CCD器件抗辐射加固设计中的应用价值。In this paper, the model of total dose irradiation effect used for the radiation hardened design is introduced, and its applications in attenuation of the parameters such as charge transfer efficiency （CTE） of TDI-CCD were studied. F radiation experiments with different dose of 60 Co verify the application value of the model in the radiation-hardening design of TDI-CCD.

关 键 词：TDI-CCD器件 总剂量辐照效应模型 缺陷 电荷转移效率 

分 类 号：TN386.5[电子电信—物理电子学]