双波长半导体红外激光诱发痛觉刺激研究  

作　　者：穆志明[1] 

机构地区：[1]中国医学科学院生物医学工程研究所,天津市300192

出　　处：《中国激光医学杂志》2014年第5期309-310,共2页Chinese Journal of Laser Medicine & Surgery

摘　　要：目的：搭建红外波段1940nm和980nm双波长激光诱发痛觉刺激系统，探索与激光痛觉诱发电位（LEPs）密切相关的基线温度控制、激光吸收导热涂层、致痛区域控制三种技术对痛觉刺激效果的影响。

关 键 词：痛觉刺激 激光诱发 双波长 红外 半导体 痛觉诱发电位 温度控制 光吸收 

分 类 号：TN249[电子电信—物理电子学]