拓扑绝缘体(Bi_(0.5)Sb_(0.5))_2Te_3薄膜中的线性磁阻  

Linear magnetoresistance in topological insulator (Bi_(0.5)Sb_(0.5))_2Te_3 thin films

作　　者：关童[1] 滕静[1] 吴克辉[1] 李永庆[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京100190

出　　处：《物理学报》2015年第7期21-28,共8页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:91121003;11374337);国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2012CB921703);中国科学院资助的课题~~

摘　　要：本文报道了拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中线性磁阻问题的系统性研究工作.此体系中,线性磁阻在很宽的温度和磁场范围内出现:磁场高达18 T时磁阻仍没有饱和趋势,并且当温度不高于50 K时,线性磁阻的大小对温度的变化不敏感.栅压调控化学势可明显改变线性磁阻的大小.当化学势接近狄拉克点时,线性磁阻最为显著.这些结果说明电荷分布的不均匀性是引起该材料线性磁阻的根源.Linear magnetoresistance（LMR） observed in a topological insulator（Bi0.5Sb0.5）2Te3thin film is systematically studied. LMR exists in very large ranges of temperature and magnetic field. It shows no trend toward saturation in the magnetic field of up to 18 T nor temperature dependence. LMR can be changed effectively by tuning the chemical potential through gate voltage. LMR shows a largest value when the chemical potential approaches to the Dirac point.These phenomena indicate that charge inhomogeneity is the origin of the LMR in this material.

关 键 词：拓扑绝缘体 薄膜 线性磁阻 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]