Pr掺杂对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响  

Effect of Pr Doping on the Photoelectric Properties of ZnO Transparent Conducting Thin Films

作　　者：李海金[1] 孟洁[1] 刘义[1] 张蓓[1] 程干[1] 

机构地区：[1]安徽工业大学数理科学与工程学院光电信息材料与技术研究所,马鞍山243032

出　　处：《材料导报》2015年第8期11-15,共5页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(51202005;21473091);安徽省教育厅高等学校省级自然科学重点研究项目(KJ2011A053);中国科学院新型薄膜太阳能电池重点实验室开放研究基金(KF201101);国家级大学生创新创业训练计划(201310360095)

摘　　要：采用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上制备出了Pr掺杂ZnO透明导电薄膜,研究了Pr掺杂对ZnO透明导电薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。实验结果表明,Zn1-xPrxO薄膜均为纤锌矿结构,当Pr掺杂含量为1%时,Zn1-xPrxO薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低,具有最佳的光电综合性能。Pr-doped ZnO transparent conducting thin films were deposited onto quartz substrates by sol-gel pro- cessing. The effect of Pr doping on structure, morphology, optical and electrical properties of ZnO thin films were in- vestigated. The results show that the crystal structure of Znl-xPrxO films was wurtzite structure. The sample pre- pared with Pr content of 1% possessed the highest optoelectrical performance, with the best crystalline quality, the lowest electrical resistivity, and the highest average visible transmittance.

关 键 词：溶胶-凝胶法 ZnO∶Pr薄膜 透明导电薄膜 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]