利用ICP进行In掺杂对GaN基LED材料性能的影响  

作　　者：曾勇平[1] 张保平[1] 应磊莹[1] 

机构地区：[1]厦门大学电子工程系,福建厦门361005

出　　处：《山东工业技术》2015年第6期163-164,共2页Journal of Shandong Industrial Technology

摘　　要：本文主要介绍一种新型的改善Ga N材料p型欧姆接触特性的方法,即采用电子束蒸发技术在In GaN层上沉积一层ITO薄膜,然后通过感应耦合等离子体技术(ICP)对ITO进行轰击。通过XPS测试分析可知,ICP轰击ITO过程中,ITO中的In原子扩散至p-Ga N层。通过在p-Ga N上方制作欧姆接触并进行I-V测试,结果表明In掺杂后样品p型欧姆接触特性得到改善。

关 键 词：p型欧姆接触 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学] TQ133.51[化学工程—无机化工]