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机构地区:[1]上海大学分析测试中心,上海200444 [2]东华大学理学院,上海200051
出 处:《实验室研究与探索》2015年第3期40-42,100,共4页Research and Exploration In Laboratory
基 金:上海大学创新基金资助项目(K.10-0110-13-005)
摘 要:为提高Ba0.67Sr0.33Ti O3陶瓷介电性能、降低成本,采用低熔点化合物掺杂。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等研究了Ca、Bi掺杂对Ba0.67Sr0.33Ti O3陶瓷微观结构与性能的影响。研究发现,Ca、Bi掺杂使Ba0.67Sr0.33Ti O3陶瓷烧结温度显著降为1 100℃,且有效抑制了晶粒的生长。Ca、Bi掺杂明显改善了Ba0.67Sr0.33Ti O3陶瓷温度稳定性,当超出一定固溶限度(x>6%)时,介电常数温度稳定的范围已无显著改善。In order to improve the dielectric properties of Ba0. 67Sr0. 33 Ti O3ceramics and reduce the cost,the experiment takes the low-melting point compound to dope. Structure and properties of Ca,Bi doped Ba0. 67Sr0. 33 Ti O3have been investigated by XRD,SEM and so on. The results show that doping Ca and Bi decreases the sintering temperature of Ba0. 67Sr0. 33 Ti O3ceramics to 1 100℃,moreover restrains grain growing significantly. In addition,Ca and Bi improve the temperature characteristics of Ba0. 67Sr0. 33 Ti O3ceramics obviously,and the range of dielectric temperature stability cannot be broaden obviously due to the limit of Ca and Bi solubility( x〉6%).
关 键 词:Ba0.67Sr0.33Ti O3陶瓷 掺杂 温度稳定性
分 类 号:TN304[电子电信—物理电子学]
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