p型CdZnTe晶体(111)B面的Au/Zn复合电极的制备和研究  

Fabrication and Characterization of Au/Zn Composite Electrode on p-CdZnTe(111) B Surface

作　　者：杨升[1] 闵嘉华[1] 梁小燕[1] 张继军[1] 邢晓兵 段磊[1] 时彬彬[1] 孟华[1] 

机构地区：[1]上海大学电子信息材料系,上海200444

出　　处：《人工晶体学报》2015年第4期988-992,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金(11275122;51472155;11375112);上海市科委重点项目(11530500200);上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ096)

摘　　要：通过对p型CdZnTe(111)面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体(111)面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察、EDS成分分析、I-V特性测试及势垒高度计算等多种手段研究了Au/Zn复合电极对金属和半导体接触性能的影响。结果表明,在P型CdZnTe(111)A面蒸镀Au电极,在B面蒸镀Au/Zn复合电极时获得的势垒高度最低,有效减小了富Te面对金半接触的影响。Au/Zn复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能。Through structural analysis of the（ 111） surface of p-CdZnTe,the Au / Zn composite electrode on the（ 111） surface of p-CdZnTe was prepared by vacuum evaporation method. Based on the AFM,SEM and EDS,current-voltage test and the barrier heights calculation,effects of Au / Zn contact on metal-semiconductor contact were investigated. The results show that a lower Schottky barrier height was attained by depositing Au layer on p-CdZnTe（ 111） A surface and Au / Zn double layers on（ 111） B surface,decreasing the influence of Te enriched surface on the metal-semiconductor contact, and suggesting a better ohmic contact for CdZnTe detector.

关 键 词：CDZNTE 复合电级 金半接触 势垒高度 

分 类 号：O77[理学—晶体学]