CH_x在Co(0001)表面吸附的第一性原理研究  

CHxadsorption on Co( 0001) : A first-principle study

作　　者：王兴艺 刘粉粉 王小平 钞营 周大伟[1] 濮春英[1] 付玲[3] 何朝政[1] 李根全[1] 

机构地区：[1]南阳师范学院物理与电子工程学院,河南南阳473061 [2]南阳师范学院数学与统计学院,河南南阳473061 [3]南阳师范学院生命科学与技术学院,河南南阳473061

出　　处：《南阳师范学院学报》2015年第3期16-18,共3页Journal of Nanyang Normal University

基　　金：NSFC-河南人才培养联合基金(U1404216;U1304612;U1404608);南阳师范学院校级项目(ZX2014088)

摘　　要：采用自旋极化密度泛函理论,结合周期性平板模型,系统研究了CH3、CH2、CH和C在Co(0001)表面的吸附,给出了吸附能、稳定吸附位点、吸附结构及扩散能垒等信息.它们的吸附能按照从弱到强的排列顺序依次是CH3<CH2<CH<C.其中,C和CH的最佳吸附位置均为Hcp空位,而对于CH2和CH3,Fcc空位是其最稳定吸附位置.计算结果表明,表面弛豫对表面变形影响比较大,会引起表层Co原子间距的变化,导致表层Co原子或多或少的向上突起.In this paper, the adsorption of CHx on Co(0001) surface has been systematically investigated based on the calculation of adsorption energy, preferred adsorption site, adsorption structure, and diffusion energy bar-rier. The order of adsorption energy is CH3 <CH2 <CH<C. Hcp site is favorable for the adsorption of C and CH tested in this paper, whereas free radical CH2 and CH3 tend to adsorb on Fcc site. The adsorption induces the elongation of Co—Co distance and to some extent protruding Co atom from the surface.

关 键 词：密度泛函理论 第一性原理 Co(0001) 原子 分子 

分 类 号：TH133[机械工程—机械制造及自动化] TP183[自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]