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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]中国电子科技集团第38研究所,安徽合肥230088
出 处:《中国集成电路》2015年第5期31-35,共5页China lntegrated Circuit
摘 要:基于180nm高压CMOS工艺,实现了一种负压型电荷泵.文中从系统的角度,阐述了适用于OLED显示驱动芯片的PSM工作模式的反压型电荷泵的原理,采用双泵电路设计的负压电荷泵,电源转换效率提高10%.仿真结果表明,当输入电压为2.8~3.6 V,负载电流为20 mA时,该电荷泵的电源转化效率最高可达90.9%,纹波电压小于50mV。A negative voltage charge pump is realized in a 180nm high voltage CMOS process. From the system point, this paper illustrates the working principle of negative voltage charge pump suitable for OLED display driver IC in the PSM mode. The pump efficiency is up 10% with a double pump circuit design. Simulation results show that the pump has a maximum efficiency of 90.9% and the ripple voltage less than 50mV under the condition of the input voltage range of 2.8 to 3.6 V and 20mA load current.
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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