TiO_2忆阻器的磁控模型分析及电路实现  

Flux-controlled Model Analysis and Circuit Implementation of TiO_2 Memristor

作　　者：刘威[1] 王光义[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州310018

出　　处：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2015年第2期5-8,共4页Journal of Hangzhou Dianzi University：Natural Sciences

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61271064;60971046);浙江省自然科学基金重点资助项目(LZ12F01001);浙江省重点科技创新团队资助项目(2010R50010)

摘　　要：为了建立忆阻器的电导模型,基于TiO2忆阻器的荷控数学模型分析了其无源和有源的磁控数学模型,并设计了实现其伏安特性的双口电路模型,对电路模型进行了理论分析。利用Multisim对磁控忆阻器的电路模型进行了仿真验证,不同参数条件下的仿真结果与磁控忆阻器模型的特性完全一致。This paper aims at establishing the conductivity model of the memristor .On the basis of charge-controlled TiO2 memristor, build the passive and positive flux-controlled mathematical model , through which two-port-circuit model is designed and verified by a theoretical analysis .Present a simulation and verification for the flux-controlled circuit model using Multisim and the results turn out to be exactly the same as characteristics of the flux-controlled memristor under different conditions .

关 键 词：忆阻器 磁控忆阻器 等效电路模型 

分 类 号：TN601[电子电信—电路与系统]