MgO含量对微波高Q介电材料电性能与微观结构的影响  

Effect of Mg O addition to high Q ceramic systems on dielectric characteristics and micro-structures

作　　者：黄芳[1] 谢文涛[1] 祁宏庆 钱磊[1] 钱怡潇 周洪庆[1] 

机构地区：[1]南京工业大学材料科学与工程学院,江苏南京210009

出　　处：《电子元件与材料》2015年第6期8-10,27,共4页Electronic Components And Materials

基　　金：江苏省产学研科技支撑资助项目(No.BE2009168);长江学者和创新团队发展计划(PCSIRT)资助项目(No.IRT1146)

摘　　要：借助典型的固相反应烧结机制，研究了MgO含量对微波高品质因数瓷介材料微观结构与介电性能参数影响的规律。结果表明：高温烧结的镁钛系瓷介质中，随着MgO含量增加，Mg 2 TiO 4晶相的含量逐渐降低、瓷体晶粒由尖晶石型演变为氯化钠型结构，对应的微波介电常数出现缓慢降低，在10.10~13.37范围连续可调。当x=16时，在1525℃/2 h烧成，可获得性能优良的（2＋x）MgO-TiO2陶瓷，其ρ=3.49g·cm–3，εr=10.37，Q·f=118747 GHz（f=10.47 GHz），τf=–53.35×10–6℃–1。The effect of MgO content on microstructure and dielectric properties of highQ ceramics were studied. Samples were prepared by solid state reaction. The results show that with the increase amount of MgO, Mg2TiO4 crystal content reduces and some particles of sodium chloride structure replace spinel ones. Corresponding with this, adjustableεr decrease slowly from 13.37 to 10.10. Sintered at 1 525℃ for 2 h, the dielectric properties of （2＋x）MgO-TiO2（x=16） ceramics are more excellent：ρ=3.49 g·cm–3,εr=10.37,Q·f=118 747 GHz（f=10.47 GHz）,τf=–53.35×10–6℃–1.

关 键 词：Mg2TiO4 MgO 微观结构 介电常数 品质因数 温度系数 

分 类 号：TM174[电气工程—电工理论与新技术]