Gd_2SiO_5:Eu^(3+)中VUV激发的量子剪裁  

作　　者：陈永虎[1] 刘波[1] 施朝淑[1] 陶冶[2] 巨新[2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100039

出　　处：《中国科学（A辑）》2002年第8期711-715,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金(批准号:59732040);中国科学院高能物理研究所同步辐射重点课题;中国科学技术大学高水平大学基金资助项目

摘　　要：在北京同步辐射装置的真空紫外光谱站,对Gd2SiO5:Eu3+激发谱、发射谱进行了研究.基于Gd3+-Eu3+体系通过能量传递发生可见光量子剪裁的原理,对实验结果进行了讨论.当直接激发Gd3+的6GJ态时,有2个来自Eu3+的可见光光子发射,粗略的估算表明Gd2SiO5:Eu3+是一种有效的量子剪裁材料.

关 键 词：UVU激发 量子剪裁 Gd2SO5:Eu^3+ 发光材料 能量传递 铕 掺杂 可见光光子发射 量子效率 

分 类 号：O482.31[理学—固体物理]