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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:李雪冬[1,2] 刘洪[2] 吴家刚[2] 刘刚[1] 肖定全[2] 朱建国[2]
机构地区:[1]绵阳师范学院物理与电子信息工程系,四川绵阳621000 [2]四川大学材料科学与工程学院,四川成都610064
出 处:《科技创新导报》2015年第10期5-6,共2页Science and Technology Innovation Herald
基 金:国家自然科学基金(NO.60771016);绵阳师范学院科研课题(NO.QD2013A07)
摘 要:以LaNiO_2做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO_2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O 3-0.1PbTiO 3/0.65Pb(Mg_(1/2)Nb_(2/3))O_3-0.35PbTiO_3铁电多层薄膜。采用两步法在峰值温度650℃和700℃对薄膜进行退火。通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量。研究发现,650℃退火的薄膜有较好的铁电性,其剩余极化2P_r9.5μc/cm^2,矫顽场2E_c=42.2 kV/cm,100 kV/cm场强下漏电流密度为31μA/cm^2。700℃退火的薄膜铁电性有所下降,2P,=3.1μc/cm^2,但薄膜却具有很低的矫顽场,2E_c=22.6 kV/cm。分析认为,铁电性的退化与高温下薄膜中异质结间的相互作用及挥发性元素Pb和Mg的损失密切相关。
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