检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:李雪冬[1,2] 刘洪[2] 吴家刚[2] 刘刚[1] 肖定全[2] 朱建国[2]
机构地区:[1]绵阳师范学院物理与电子信息工程系,四川绵阳621000 [2]四川大学材料科学与工程学院,四川成都610064
出 处:《科技创新导报》2015年第12期6-7,共2页Science and Technology Innovation Herald
基 金:国家自然科学基金(NO.60771016);绵阳师范学院科研课题(NO.QD2013A07)
摘 要:以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出[0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTi 3/0.55Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.45PbTiO3]4铁电多层薄膜。采用两步法在峰值温度800℃对薄膜进行退火。通过x射线衍射分析了薄膜的物相结构,通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量。研究发现,薄膜展现出高度(100)取向的钙钛矿结构和增强的铁电性,其剩余极化2Pr=26.2μc/cm2,矫顽场2Ec=53.9 k V/cm,100 k V/cm下漏电流密度为1.87×10-4A/cm2。分析了铁电性增强和漏电流增大的可能原因。
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