基于MOS管的砷化镓器件加电保护电路设计  

作　　者：化宁 陈凯 

机构地区：[1]上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海200030 [2]上海航天804研究所,上海201109

出　　处：《数字技术与应用》2015年第5期150-150,共1页Digital Technology & Application

摘　　要：由于砷化镓材料具有载流子迁移率高、宽禁带大、最大电阻率高等优点,在近十年时间作为主要的功率放大器件被广泛应用于通信的各个领域,本文对砷化镓功率器件的工作特性进行了介绍和研究,根据器件特性使用MOS管进行了加电保护电路的设计,并根据NMOS管、PMOS管工作方式的不同分别进行了分析,并进行电路设计。

关 键 词：砷化镓 MOS管 加电保护电路 

分 类 号：TM56[电气工程—电器]