Bi掺杂SrTiO_3的电子结构第一性原理研究  

Research of the First-principle of Electronic Structure of Bi Doped SrTiO_3

作　　者：彭彩云[1] 马梅[1] 李红梅[1] 张航[1] 张文蕾[1] 张丽丽[1,2] 

机构地区：[1]伊犁师范学院物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室,新疆伊宁835000 [2]南京大学物理学院国家固体微结构重点实验室,江苏南京210093

出　　处：《伊犁师范学院学报（自然科学版）》2015年第2期43-47,共5页Journal of Yili Normal University：Natural Science Edition

基　　金：伊犁师范学院一般项目(2013YSYB16)

摘　　要：利用第一性原理密度泛函理论,计算了不同浓度Bi掺杂SrTiO3的电子能带结构、能态密度、布居分析.计算结果表明,掺杂Bi元素后,体系的禁带宽度增大,能级的密集程度增加;能态密度向低能方向移动,费米能级进入导带,在导带底出现了大量掺杂原子贡献的自由载流子——电子,体系表现出n型半导体特征,改善了SrTiO3的导电性.Using the first principles density functional theory. The calculation of the different concentration of Bi doped SrTiO3 electronic band structure, density of state and Mulliken Charge population. The results show that the doping Bi elements, system of the band gap increases, intensity level increased;density of states to lower energy di-rection, the Fermi level into the conduction band.At the bottom of the conduction band the free carrier –electron doping atoms contribution system, show the n-type semiconductor characteristics, improve the electrical conductivi-ty of SrTiO3.

关 键 词：SRTIO3 第一性原理 电子能带结构 态密度 布居分析 

分 类 号：TQ174[化学工程—陶瓷工业]