脉冲激光沉积法制备CeO2薄膜的阻变特性研究  

作　　者：王胜斌[1] 谢超[1] 申自勇[1] 

机构地区：[1]北京大学电子学系纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京100871

出　　处：《纳米科技》2015年第3期22-26,共5页

基　　金：国家自然科学基金项目（61271050）

摘　　要：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（Conductive Atomic Force Microscopy, CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.

关 键 词：CEO2 导电原子力显微镜 阻变效应 氧缺位 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]