多层薄膜二次电子发射特性的理论研究  

Theoretical study on secondary electron emission characteristics of multilayer films

作　　者：陈凤[1] 郭金川[1] 陈泗方 周彬[1] 

机构地区：[1]深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳518060

出　　处：《深圳大学学报（理工版）》2015年第4期417-421,共5页Journal of Shenzhen University(Science and Engineering)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11074172);国家重点基础研究发展计划资助项目(2102CB825804)~~

摘　　要：为提高硅基微通道板(silicon-based microchannel plate,Si-MCP)的增益特性,提出采用复合发射层结构取代常规的单发射层结构以改善微通道内壁的二次电子发射特性.计算了Si O2/Si、Al2O3/Si、Mg O/Si双层薄膜在不同厚度下的二次电子发射系数与初电子能量的关系曲线,并对结果进行了比对验证.该计算结果对设计制作硅基MCP具有一定参考价值.In order to improve the gain characteristics of the silicon-based microchannel plate （Si-MCP）, we design a complex emission structure comprised of multilayer films to replace the existing monolayer emission structure so as to increase the secondary electron emission of the inner wall. We calculate the secondary electron emission coeffi- cients of Si02/Si ,AI203/Si and MgO/Si double-layers under different thicknesses as a function of primary electron energy by using the existing multilayer formulas. The results have a certain reference value to the design and fabrica- tion of Si-MCP.

关 键 词：薄膜物理学 硅基微通道板 二次电子发射 数值模拟 发射系数 薄膜厚度 

分 类 号：TN101[电子电信—物理电子学]