高发光效率的LED光电器件的结构设计和性能研究  

Optimization of High Efficiency LED Photodevice

作　　者：刘映群[1] 丁向荣[2] 

机构地区：[1]电子信息工程学院广东岭南职业技术学院,广东广州510663 [2]电子通信工程系广东轻工职业技术学院,广东广州510300

出　　处：《量子光学学报》2015年第3期285-290,共6页Journal of Quantum Optics

基　　金：2013年度广东省高等职业教育教学改革立项项目(编号:20130301018)

摘　　要：设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。LED的辐射复合速率对于器件的电子泄露,发光功率,在大电流下的效率下降等问题具有重要的影响。通过优化器件结构,新设计的芯片在大电流注入下,发光功率是传统结构的两倍。The advantages of InGaN based light-emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers were studied. It was found that the structure with InGaN/GaN multilayer barriers shows improved light output power,lower current leakage, and less efficiency droop over its conventional InGaN/GaN counterparts. Based on the numerical simulation and analysis, these improvements on the electrical and the optical characteristics are mainly attributed to the alleviation of the electrostatic field in the quantum wells （QWs） when the InGaN/GaN multilayer barriers are used.

关 键 词：高量子效率 发光二极管 电子阻挡层 

分 类 号：O431[机械工程—光学工程]