基于拓扑绝缘体的Yb∶KGW调Q激光器  

Q-Switched Yb∶KGW Laser Based on Topological Insulators

作　　者：刘京徽[1] 田金荣[1] 胡梦婷[1] 窦志远[1] 宋晏蓉[1] 

机构地区：[1]北京工业大学应用数理学院,北京100124

出　　处：《中国激光》2015年第8期19-22,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金(61177047);北京市自然科学基金(1102005);北京工业大学基础研究基金(X3006111201501)

摘　　要：Yb∶KGW激光晶体可用半导体抽运获得瓦级输出,这是由于其本身具备宽的增益带宽(24 nm),大的激光发射截面(2.8×10-20cm2),以及良好的热导性能(3.3 W/m·K)。Yb∶KGW调Q激光器通过透射式新型可饱和吸收材料拓扑绝缘体Bi2Se3实现,获得窄脉宽为1.5μs,中心波长1042 nm,对应脉冲能量为4.7μJ,峰值功率为3.13 W。Yb∶KGW laser material is well suited to build diode-pumped pulse lasers in watt region because of its broad gain bandwidth of 24 nm, large emission cross section of 2.8×10-20cm2 and good thermal conductivity of 3.3 W/（m · K）. A passively Q- switched Yb∶KGW laser is obtained using a transmission- type topological insulator Bi2Se3 as a saturable absorber. The achieved maximum pulse energy is 4.7 m J and the peak power is3.13 W for a pulse duration of 1.5 ms.

关 键 词：激光器 被动调Q 拓扑绝缘体 半导体抽运 Yb:KGW 

分 类 号：O436[机械工程—光学工程]