一维结构二氧化锡的电压-电流特性研究  

作　　者：李小博[1] 高于涵[1] 马占营[1] 范广[1] 

机构地区：[1]咸阳师范学院化学与化工学院,陕西咸阳712000

出　　处：《技术与市场》2015年第9期60-60,63,共2页Technology and Market

基　　金：陕西省教育厅自然科学基金项目No.12JK0631;No.2013JK0692;咸阳师范学院专项科研基金项目No.12XSYK025;No.14XSYK011;No.14XSYK012提供资助

摘　　要：采用易挥发的金属氯化物,通过化学气相沉积法(CVD)在FTO导电玻璃上直接生长一维结构二氧化锡纳米锥阵列,研究一维纳米结构二氧化锡的电压-电流(I-V)特性,探讨结构与性能的本质联系,为高性能的二氧化锡纳米材料太阳能电池的研制提供理论和技术上的支持。

关 键 词：二氧化锡(SnO2) 纳米锥阵列 电压-电流(I-V)性能 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]