ZnWO4薄膜的制备及其在染料敏化太阳电池中的光电性能  

SYNTHESIS OF ZNWO_4 THIN FILM AND ITS PHOTOVOLTAIC PERFORMANCE IN DYED-SENSITIZED SOLAR CELLS

作　　者：张林森[1] 韩莉锋[1] 王志涛[2] 王力臻[1] 张勇[1] 宋延华[1] 

机构地区：[1]郑州轻工业学院材料与化学工程学院,河南省表界面科学重点实验室,郑州450002 [2]武夷学院生态与资源工程学院,武夷山354300

出　　处：《太阳能学报》2015年第9期2089-2093,共5页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：河南省科技计划(122300410297)

摘　　要：采用浸渍-提拉法制备ZnWO_4薄膜,研究其在染料敏化太阳电池(DSSCs)中的光电性能。使用XRD、SEM、UV-vis、EIS及I-V对Zn WO4薄膜的结构及光电性能进行表征。结果表明:制备的ZnWO_4薄膜具有较好的结晶性能,属黑钨矿型结构;薄膜颗粒均匀;为直接带隙半导体材料,带隙为2.85eV;由ZnWO_4薄膜组装的DSSCs的短路电流密度、开路电压及光电转换效率的值分别为0.15mA/cm^2、627mV及0.038%。ZnWO4 film was synthesized through dip-coating method. Photovohaic performance of ZnWO4 film was studied in the dye-sensitized solar cells （DSSCs）. The structure, surface morphology and photovohaic property of the ZnWO4 thin films were characterized by X-ray diffraction （XRD） , scanning electron microscopy （SEM） , UV-vis, electrochemical impedance spectra （EIS） and current-voltage curve （I-V）. The results indicated that the ZnWO, film belongs to wolframite type and has good crystallization. Thin film is amorphous and uniform. ZnWO4 film is direct band gap and band gap is 2.85 eV. Short circuit current （Lsc）, the open circuit voltage （Voc）, and conversion efficiency （η） of DSSCs used ZnWO4showed the values of 0.15 mA/cm^2, 627 mV, and 0.038%, respectively.

关 键 词：浸渍-提拉法 ZnWO4 DSSCS 光电性能 

分 类 号：TM914[电气工程—电力电子与电力传动]